摘要：填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二好了吧！
...填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二好了吧！
金融界2024年1月8日消息，据国家知识产权局公告，江苏凯达重工股份有限公司取得一项名为“一种轧辊外圆沟槽加工装置“授权公告号CN117066600B,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种轧辊外圆沟槽加工装置，涉及轧辊加工技术领域，包括基座，所述基座的顶部设说完了。
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 8 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， jiang su kai da zhong gong gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ yi zhong zha gun wai yuan gou cao jia gong zhuang zhi “ shou quan gong gao hao C N 1 1 7 0 6 6 6 0 0 B , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 1 0 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming gong kai le yi zhong zha gun wai yuan gou cao jia gong zhuang zhi ， she ji zha gun jia gong ji shu ling yu ， bao kuo ji zuo ， suo shu ji zuo de ding bu she shuo wan le 。
金融界2024年1月6日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“沟槽的制备方法“公开号CN117352383A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻神经网络。
所述中心花纹块和肩部花纹块之间交错形成有沟槽，所述沟槽包括若干周向沟槽和若干横向沟槽，所述周向沟槽沿轮胎周向方向形成，所述横向沟槽沿轮胎宽度方向形成；所述沟槽的底部设置有楔形条，所述楔形条由纤维增强复合材料制成。楔形条的设计可以有效地防止颗粒物附着在轮胎胎等我继续说。
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衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽，绝缘材料层填充各第一沟槽；对基底进行蚀刻，以形成多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽，第二方向与第一方向相交；去除位于第二沟槽下方的衬底的部分材料，以在第二沟槽的下方形成第三沟槽，第三沟槽贯通各第二沟槽；在第三沟槽内填充导神经网络。
金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET“公开号CN117316980A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅MOSFET的元后面会介绍。
金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法“公开号CN117316990A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明提供一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法，沟槽MOS晶体管器件神经网络。
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金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316984A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技说完了。
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金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器及其制备方法“公开号CN117316919A,申请日期为2023年3月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种沟槽电容器，包括：衬底，所述衬底具有沟槽；电容结构，包括设置在所述沟槽内壁的后面会介绍。
金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“深沟槽的制备方法及图像传感器“公开号CN117293156A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请涉及一种深沟槽的制备方法及图像传感器。该深沟槽的制备方法包括：提供承载说完了。
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