金融界2024年6月5日消息,天眼查知识产权信息显示,宁波爱去欧净水科技股份有限公司取得一项名为“一种带沟槽的碳棒滤芯”,授权公告号CN221071112U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本实用新型提供一种带沟槽的碳棒滤芯,涉及碳棒滤芯技术领域,包括碳棒滤芯本体,所述碳等会说。
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在第一开口和所述填充后的第二开口内填充第二填充层,通过这种方式,可以解决深度较浅的第一开口底部过刻蚀的问题,并且进一步利用第二次光刻-刻蚀工艺和灰化工艺,形成深度不同的两种沟槽,从而避免了现有技术中在形成高深宽比沟槽的过程中,由于其刻蚀时长太长而导致的低深宽比等我继续说。
zai di yi kai kou he suo shu tian chong hou de di er kai kou nei tian chong di er tian chong ceng , tong guo zhe zhong fang shi , ke yi jie jue shen du jiao qian de di yi kai kou di bu guo ke shi de wen ti , bing qie jin yi bu li yong di er ci guang ke - ke shi gong yi he hui hua gong yi , xing cheng shen du bu tong de liang zhong gou cao , cong er bi mian le xian you ji shu zhong zai xing cheng gao shen kuan bi gou cao de guo cheng zhong , you yu qi ke shi shi chang tai chang er dao zhi de di shen kuan bi deng wo ji xu shuo 。
4月29日,吉林华微电子(600360)发布2024年一季度报告,报告显示:公司2024年一季度实现营业收入4.96亿元,同比增长20.10%;实现归属于上市公司股东的净利润1555.30万元,同比增长198.27%。一季度公司正在开发新一代沟槽SBD产品,进一步扩大市场占有率。SBD终端应用领域包括是什么。
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金融界2024年5月30日消息,据国家知识产权局公告,陕西建工集团股份有限公司取得一项名为“一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统“授权公告号CN221032672U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统,包括支撑架还有呢?
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证券之星消息,根据企查查数据显示韦尔股份(603501)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种沟槽IGBT结构”,专利申请号为CN202322634523.9,授权日为2024年5月28日。专利摘要:本申请实施例提供了一种沟槽IGBT结构,衬底中设置有栅极沟槽和发射极沟槽;衬底从上表面往下等会说。
金融界2024年4月12日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“沟槽栅型IGBT“公开号CN117878143A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示,本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽(120)的在内部具有栅极是什么。
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金融界2024年4月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构“公开号CN117855197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开涉及一种沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构。沟槽电容器封装神经网络。
金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法,采用第一氧化硅神经网络。
金融界2024年3月26日消息,据国家知识产权局公告,上海贝岭股份有限公司申请一项名为“沟槽栅MOS-GCT器件及其制备方法“公开号CN117766578A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种沟槽栅MOS‑GCT器件及其制备方法,其中,沟槽栅MOS‑GCT器件包括P等会说。
金融界2024年1月6日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“沟槽的制备方法“公开号CN117352383A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明提供了一种沟槽的制备方法,包括:提供衬底,衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻好了吧!
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