摘要：证券之星消息，根据企查查数据显示晶盛机电(300316)新获得一项发明专利授权，专利名为“蓝宝石晶体生长炉”，专利申请号为CN202311209618.4,授权日为2024年2月13日。专利摘要：本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，包括：炉体，具有炉盖，炉盖设有第一横移通道；保温结构，包括保温层和好了吧！
...证券之星消息，根据企查查数据显示晶盛机电(300316)新获得一项发明专利授权，专利名为“蓝宝石晶体生长炉”，专利申请号为CN202311209618.4,授权日为2024年2月13日。专利摘要：本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，包括：炉体，具有炉盖，炉盖设有第一横移通道；保温结构，包括保温层和好了吧！
证券之星消息，根据企查查数据显示晶盛机电(300316)新获得一项发明专利授权，专利名为“蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉”，专利申请号为CN202311202056.0,授权日为2024年2月13日。专利摘要：本发明涉及一种蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：上分轴；下说完了。
zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi jing sheng ji dian ( 3 0 0 3 1 6 ) xin huo de yi xiang fa ming zhuan li shou quan ， zhuan li ming wei “ lan bao shi ti la zhou ji lan bao shi jing ti sheng chang lu ” ， zhuan li shen qing hao wei C N 2 0 2 3 1 1 2 0 2 0 5 6 . 0 , shou quan ri wei 2 0 2 4 nian 2 yue 1 3 ri 。 zhuan li zhai yao ： ben fa ming she ji yi zhong lan bao shi ti la zhou ji lan bao shi jing ti sheng chang lu ， gai lan bao shi jing ti sheng chang lu bao kuo ： shang fen zhou ； xia shuo wan le 。
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110957358B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠神经网络。
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域等会说。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，北京通美晶体技术股份有限公司申请一项名为“一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法“公开号CN117535797A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法，属于半导体材料技术领域好了吧！
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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备“公开号CN117545276A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开提供了串行栅极晶体管和包括串行栅极晶体管的非易失性存储器设备。在等我继续说。
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬后面会介绍。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“鳍式场效晶体管技术中的半导体布局“公开号CN117542895A,申请日期为2018年7月。专利摘要显示，本公开涉及鳍式场效晶体管技术中的半导体布局。描述了用于将单元放置在集成电路中的系统、装置和方好了吧！
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备“公开号CN117546300A,申请日期为2021年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供一种鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领神经网络。
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，浙江华康药业股份有限公司申请一项名为“一种高粒度防结块的木糖晶体的制备方法“公开号CN117512228A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种高粒度防结块的木糖晶体的制备方法，包括煮糖工艺、降温结晶工艺说完了。
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