摘要：电击穿或是电致击穿，指的是当加在某一绝缘介质上的电压高於过一定程度（击穿电压）后，这时绝缘介质会发生突崩溃而使其电阻迅速下降，继而使得一部分绝缘介质变为导体。 电击穿需要有足够的电压，可以只在瞬间存在，例如静电放电；也可能持续一段时间，例如在配电电路中发生的电弧现象等。在有效的击穿电压下，电击穿。...电击穿或是电致击穿，指的是当加在某一绝缘介质上的电压高於过一定程度（击穿电压）后，这时绝缘介质会发生突崩溃而使其电阻迅速下降，继而使得一部分绝缘介质变为导体。 电击穿需要有足够的电压，可以只在瞬间存在，例如静电放电；也可能持续一段时间，例如在配电电路中发生的电弧现象等。在有效的击穿电压下，电击穿。
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电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压。
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dian ya hou （ zai gui cai liao zhong yi ban wei 1 0 0 - 2 0 0 V ） ， li yong dian li peng zhuang （ xue beng ji chuan ） xiao ying ， ke zai A P D zhong huo de yi ge da yue 1 0 0 de nei bu dian liu zeng yi 。 mou xie gui A P D cai yong le bu tong yu chuan tong A P D de chan za deng ji shu ， yun xu jia shang geng gao de dian ya ( > 1 5 0 0 V ) er bu zhi ji chuan ， cong er ke huo de geng da de zeng yi ( > 1 0 0 0 ) 。 yi ban lai shuo ， fan xiang dian ya 。
Semiconductor，缩写：LDMOS）经常被用于微波/射频电路，制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器，原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件（如GaAs场效电晶体）相比，LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台湾积体电路制造公司（。
电压很难激发出激光，激光需要外界的激发才能出光，而激光电源即是激发激光器发光的部件，CO2激光器里面充的是CO2气体和少量其他气体，要想使CO2激光器发光，必须使CO2气体击穿才能导电，而击穿CO2气体需要很高的电压，例如80W的CO2激光器大约需要3万伏的高压，这部分电压。
种介质时，空气中的各种微粒互相碰撞和摩擦便会使该空气介质两面的正负电荷的量持续积累，这时加於该空气介质的电压也会同时增加，当局部电压达到当时条件下空气的击穿电压时，该空气介质的局部便会发生电击穿而持续成为等离子体，使电流能够通过原本绝缘的空气。这时通过空气的电流也会將空气急剧加热，使空气膨胀而产生雷声。。
Intertechnology）的註册商標TransZorbs。 TVS二极管有以下的规格： 漏电流：在电压小於最大反向关断电压时，可以导通的电流。 最大反向关断电压：在此电压以下，导流电流不明显 击穿电压：会出现显导通电流的电压。 箝位电压：导通电流会到其额定电流（数百到数千安培）的电压。。
电压以后反向电流急遽增加的区域被称为击穿区（崩溃区）。在击穿区內，电流在较大的范围內变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极体就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。 当二极体的P-N接面处於正向偏压时，必须有相当的电压被用来贯通空乏区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极体的障壁电压约0。
比较器是通过比较两个输入端的电流或电压的大小，在输出端输出不同电压结果的电子元件。比较器常被用于类比数位转换电路中。 由于生产商不同，比较器正常工作时有不同的输入电压范围。例如早期的LM111系列和某些高速比较器如LM119系列的额定输入电压需要远小于供电电压（例如供电36V时输入电压范围为±15V）。而轨至轨比较器只要求输入电压。
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小（10−6安培等级），pn接面处于截止状态，所以外加反向电压时，pn接面近乎断路。 当加在pn接面上的反向电压，反向饱和电流不变，但是反向电压当超过一定数值（崩溃电压）时，pn接面的电阻突然减小，反向电流急剧增大，这种现象称为电击穿。电击穿分为突崩溃和齐纳崩溃，两者都是可逆的。。
在美国专利局注册电蚊拍（#5,519,963）。 通过一个升压电路来将两金属网之间电压升高到2000伏特以上（空气击穿电压约为5kV/cm），并储存在电容器中。当有导体时 会产生电子游离使空气的电阻降低，电流会流向最短路径，使得储存高压电的电容放电，产生电火花，击晕或击毙蚊虫。 启动电蚊拍电源电路后（通常是电池供电），以。
GHz 的等级。 电压突波也会带来电流的变化（电流突波）。不过也有可能因为电流源而产生电压突波。因一电路的电流会维持定值，就可能因为阻抗突然变大而产生电压突波。例如若有储能的电感元件突然断路，又没有续流路径，就会有突波。 针对对电压敏感的电路设备，若电压突波超过材料的击穿。
雪崩击穿（英语：Avalanche breakdown），是指对一些绝缘体或半导体施加足够的电压时，流过它们的电流突然增大。这主要与金属原子外自由运动的电子有关。大部分的绝缘体或半导体载运电流的能力受限於能够在原子外中自由运动的电子的不足，而强大的电流所产生的电子能够击。
帕邢定律（英语：Paschen's law);二电极间开始形成电弧或放电的击穿电压是气体的压力和电极距离乘积的函数，通常写成； V = f ( p d ) {\displaystyle V=f(pd)} . 此处；p是气体的压力；d是电极的距离。 帕邢找到此函数的形式是 V = a p d / ln。
discharge）是由围绕在高电压导体周围的流体电离造成的放电，此处最常见的流体就是空气，此放电因在黑暗中状似月晕而得名。 电晕放电时，在沿着导线或电极的表面可以看到光层（电晕） ，伴有咝咝声，并产生臭氧、氧化氮等。非导电介质也有此现象，此因在高电压下电场强度过大，导致非导电介质被击穿。
击穿电压，是使某一绝缘介质在一段时间內成为导体所需加入的电压的最低值。当加於某一绝缘介质的电压足够高时，这时该绝缘介质便会发生电击穿，使电流可以通过。 一股突发的电流可以永久地转变固態绝缘体中的分子结构，从而於物质中产生一道较易导电的路径。而一种绝缘体的击穿电压。
当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿。
度极低，相应地电导也极低，或者说这种材料绝缘。 理论上是如此，然而，实际上对于绝缘体，总存在一个击穿电压，这个电压能给予价带电子足够的能量，将其激发到导带。一旦超过了击穿电压，这种材料就不再绝缘了。击穿通常伴随着破坏材料绝缘性的物理或化学变化。 以上讨论仅涉及电子导电。除了不存在电子导电，绝缘体中。
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和负电荷，並且逐渐累积时，这时加於该绝缘介质上的电压也会同时增加，当该电压高於一定程度（击穿电压）后，这时绝缘介质会发生电击穿，继而使得一部分绝缘介质变为导体，使电流能够通过。在电流通过绝缘介质后，绝缘介质两面的正负电荷便会消失，加於该绝缘介质的电压也会回復到零，因此静电放电只会在一段短时间之內出现。。
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与主结极性相同、环状分布的杂质区，从而抑制主结边缘由曲率效应引起的电场集中，以分压的方式将电压逐渐降低，达到提高器件击穿电压的技术。场限环与主结以及其它电极并没有电接触，因此又称为浮空场限环。 当主结加反向电压时，主结与环结的电场与电位分布可用半导体表面的二维泊松方程求解： ∂ E x ∂ x | x。
电压功能，因此又称为“稳压二极体”（英语：regulator diode）。 齐纳二极体的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳，他首先阐述了绝缘体的电击穿特性，后来贝尔实验室运用这项发现，开发出此种二极体，並以齐纳作为命名以兹纪念。 一般二极体正向导通时电压可维持在0。
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