摘要：金融界2024年6月5日消息，天眼查知识产权信息显示，宁波爱去欧净水科技股份有限公司取得一项名为“一种带沟槽的碳棒滤芯”，授权公告号CN221071112U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本实用新型提供一种带沟槽的碳棒滤芯，涉及碳棒滤芯技术领域，包括碳棒滤芯本体，所述碳还有呢？
...金融界2024年6月5日消息，天眼查知识产权信息显示，宁波爱去欧净水科技股份有限公司取得一项名为“一种带沟槽的碳棒滤芯”，授权公告号CN221071112U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本实用新型提供一种带沟槽的碳棒滤芯，涉及碳棒滤芯技术领域，包括碳棒滤芯本体，所述碳还有呢？
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在第一开口和所述填充后的第二开口内填充第二填充层，通过这种方式，可以解决深度较浅的第一开口底部过刻蚀的问题，并且进一步利用第二次光刻-刻蚀工艺和灰化工艺，形成深度不同的两种沟槽，从而避免了现有技术中在形成高深宽比沟槽的过程中，由于其刻蚀时长太长而导致的低深宽比还有呢？
zai di yi kai kou he suo shu tian chong hou de di er kai kou nei tian chong di er tian chong ceng ， tong guo zhe zhong fang shi ， ke yi jie jue shen du jiao qian de di yi kai kou di bu guo ke shi de wen ti ， bing qie jin yi bu li yong di er ci guang ke - ke shi gong yi he hui hua gong yi ， xing cheng shen du bu tong de liang zhong gou cao ， cong er bi mian le xian you ji shu zhong zai xing cheng gao shen kuan bi gou cao de guo cheng zhong ， you yu qi ke shi shi chang tai chang er dao zhi de di shen kuan bi hai you ne ？
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4月29日，吉林华微电子(600360)发布2024年一季度报告，报告显示：公司2024年一季度实现营业收入4.96亿元，同比增长20.10%;实现归属于上市公司股东的净利润1555.30万元，同比增长198.27%。一季度公司正在开发新一代沟槽SBD产品，进一步扩大市场占有率。SBD终端应用领域包括等我继续说。
金融界2024年5月30日消息，据国家知识产权局公告，陕西建工集团股份有限公司取得一项名为“一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统“授权公告号CN221032672U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统，包括支撑架是什么。
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证券之星消息，根据企查查数据显示韦尔股份(603501)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种沟槽IGBT结构”，专利申请号为CN202322634523.9,授权日为2024年5月28日。专利摘要：本申请实施例提供了一种沟槽IGBT结构，衬底中设置有栅极沟槽和发射极沟槽；衬底从上表面往下等会说。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅好了吧！
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“沟槽栅型IGBT“公开号CN117878143A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示，本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽(120)的在内部具有栅极神经网络。
金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构“公开号CN117855197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构。沟槽电容器封装等会说。
金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“沟槽栅MOS-GCT器件及其制备方法“公开号CN117766578A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅MOS‑GCT器件及其制备方法，其中，沟槽栅MOS‑GCT器件包括P好了吧！
金融界2024年1月26日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“沟槽FET器件及制造沟槽FET器件的方法“公开号CN117461142A,申请日期为2021年12月。专利摘要显示，一种沟槽场效应晶体管(field‑effect transistor,FET)器件(100A),包括：多个有源沟槽(102),所述神经网络。
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