摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，江苏迪威高压科技股份有限公司取得一项名为“一种设置有旋转式接头的液压管道组件“授权公告号CN110005886B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明公开了一种设置有旋转式接头的液压管道组件，包括外壳，所述外壳的内等我继续说。
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，江苏迪威高压科技股份有限公司取得一项名为“一种设置有旋转式接头的液压管道组件“授权公告号CN110005886B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明公开了一种设置有旋转式接头的液压管道组件，包括外壳，所述外壳的内等我继续说。
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，上海康德莱企业发展集团股份有限公司申请一项名为“一种高压无气喷油装置的供油机构“公开号CN117505113A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压无气喷油装置的供油机构，包括不锈钢支架、油量报警器后面会介绍。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 8 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， shang hai kang de lai qi ye fa zhan ji tuan gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ yi zhong gao ya wu qi pen you zhuang zhi de gong you ji gou “ gong kai hao C N 1 1 7 5 0 5 1 1 3 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming gong kai le yi zhong gao ya wu qi pen you zhuang zhi de gong you ji gou ， bao kuo bu xiu gang zhi jia 、 you liang bao jing qi hou mian hui jie shao 。
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，富满微电子集团股份有限公司取得一项名为“一种高压供电电路及开环控制电源系统“授权公告号CN109104788B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，本发明涉及新能源芯片控制领域，尤其是一种高压供电电路及开环控制电源系统。..
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，浙江亘古电缆股份有限公司取得一项名为“一种高压电缆铜芯自动绞丝装置“授权公告号CN109801759B,申请日期为2019年3月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压电缆铜芯自动绞丝装置，涉及一种绞丝装置，包括固定底座，固定底座等我继续说。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，聚辰半导体股份有限公司取得一项名为“高压电平转换电路及高压电平转换系统“授权公告号CN111917408B,申请日期为2020年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压电平转换电路及高压电平转换系统，所述电路包括低压域输入是什么。
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，安徽合力股份有限公司申请一项名为“高压锂电电动叉车整车冷却控制系统及控制方法“公开号CN117507797A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压锂电电动叉车整车冷却控制系统及控制方法，由控制器、一等我继续说。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，深圳威迈斯新能源股份有限公司申请一项名为“一种高压连接器及车载充电机“公开号CN117543289A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压连接器及车载充电机，包括：第一壳体内设有多个插片，第二壳体内设后面会介绍。
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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，安徽皖仪科技股份有限公司申请一项名为“一种高压开启低压保持驱动电路“公开号CN117543956A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压开启低压保持驱动电路，属于驱动电路技术领域，包括控制模块、高压脉等会说。
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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，上海南芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“高压开关电路的控制电路、芯片、实现方法及设备“公开号CN117543946A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请提供一种高压开关电路的控制电路、芯片、实现方法及设备好了吧！
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高压碳化硅器件及制备方法“公开号CN117542734A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，一种高压碳化硅器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明中沟槽刻蚀区可以和对神经网络。
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