沟槽边堆土距离规范要求

小乐剧情 2024-03-10 05:15 225 693条评论

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摘要：金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法“公开号CN117673050A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括具有至少一个沟槽的衬底，以及与至少一个等会说。 ...

金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法“公开号CN117673050A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括具有至少一个沟槽的衬底，以及与至少一个等会说。

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证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽的形成方法以及背照式图像传感器制造方法”，专利申请号为CN202311507845.5,授权日为2024年3月8日。专利摘要：本发明提供的一种深沟槽的形成方法及背照式图像传感器制造方法，所述说完了。

zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi jing he ji cheng ( 6 8 8 2 4 9 ) xin huo de yi xiang fa ming zhuan li shou quan ， zhuan li ming wei “ shen gou cao de xing cheng fang fa yi ji bei zhao shi tu xiang chuan gan qi zhi zao fang fa ” ， zhuan li shen qing hao wei C N 2 0 2 3 1 1 5 0 7 8 4 5 . 5 , shou quan ri wei 2 0 2 4 nian 3 yue 8 ri 。 zhuan li zhai yao ： ben fa ming ti gong de yi zhong shen gou cao de xing cheng fang fa ji bei zhao shi tu xiang chuan gan qi zhi zao fang fa ， suo shu shuo wan le 。

第二牺牲图案；去除所述第一牺牲层的一部分和所述第二牺牲图案以形成第三牺牲图案；去除所述掩埋层的一部分和所述第三牺牲图案以形成掩埋图案；以及通过使用所述掩埋图案作为蚀刻掩模来去除所述下绝缘层的一部分和所述半导体衬底的一部分以形成字线沟槽。本文源自金融界

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽的制备方法及图像传感器”，专利申请号为CN202311587426.7,授权日为2024年2月20日。专利摘要：本申请涉及一种深沟槽的制备方法及图像传感器。该深沟槽的制备方法包括：提供承载晶说完了。

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授权公告号CN220510021U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种半导体结构，根据本公开的半导体结构包括第一裸晶以及第二裸晶，第一裸晶具有前表面以及后表面，第二裸晶接合到第一裸晶的后表面。第一裸晶包括相邻于后表面的多个沟槽，且多个沟槽被液体填充。本文源自金融还有呢？

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在硬掩模层中形成对应于间隔件中的邻近的间隔件之间的空间的第一区的第一线性开口；形成对应于邻近的间隔件之间的空间的第二区的第二线性开口，第二线性开口在第一方向上邻近于第一线性开口；利用硬掩模层在电介质层中形成沟槽；以及通过用导电材料填充沟槽形成互连线。本文好了吧！

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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“浅沟槽隔离结构及其制作方法“授权公告号CN107871706B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示，本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、..

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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺“授权公告号CN110061066B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形是什么。