摘要：金融界2024年5月30日消息，据国家知识产权局公告，陕西建工集团股份有限公司取得一项名为“一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统“授权公告号CN221032672U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统，包括支撑架后面会介绍。
...金融界2024年5月30日消息，据国家知识产权局公告，陕西建工集团股份有限公司取得一项名为“一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统“授权公告号CN221032672U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种行走式隧道多专业沟槽用液压支模系统，包括支撑架后面会介绍。
证券之星消息，根据企查查数据显示韦尔股份(603501)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种沟槽IGBT结构”，专利申请号为CN202322634523.9,授权日为2024年5月28日。专利摘要：本申请实施例提供了一种沟槽IGBT结构，衬底中设置有栅极沟槽和发射极沟槽；衬底从上表面往下还有呢？
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zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi wei er gu fen ( 6 0 3 5 0 1 ) xin huo de yi xiang shi yong xin xing zhuan li shou quan ， zhuan li ming wei “ yi zhong gou cao I G B T jie gou ” ， zhuan li shen qing hao wei C N 2 0 2 3 2 2 6 3 4 5 2 3 . 9 , shou quan ri wei 2 0 2 4 nian 5 yue 2 8 ri 。 zhuan li zhai yao ： ben shen qing shi shi li ti gong le yi zhong gou cao I G B T jie gou ， chen di zhong she zhi you zha ji gou cao he fa she ji gou cao ； chen di cong shang biao mian wang xia hai you ne ？
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种带沟槽的终端结构“授权公告号CN108321187B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金还有呢？
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种深沟槽隔离结构的形成方法“公开号CN117976683A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法，涉及半导体技术领域，形成方法包括：提供一半等我继续说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅等我继续说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976536A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽神经网络。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“沟槽栅型IGBT“公开号CN117878143A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示，本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽(120)的在内部具有栅极好了吧！
金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构“公开号CN117855197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构。沟槽电容器封装等会说。
金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“沟槽栅MOS-GCT器件及其制备方法“公开号CN117766578A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅MOS‑GCT器件及其制备方法，其中，沟槽栅MOS‑GCT器件包括P说完了。
金融界2024年1月26日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“沟槽FET器件及制造沟槽FET器件的方法“公开号CN117461142A,申请日期为2021年12月。专利摘要显示，一种沟槽场效应晶体管(field‑effect transistor,FET)器件(100A),包括：多个有源沟槽(102),所述神经网络。
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