摘要：金融界2024年1月18日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“授权公告号CN220358069U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，揭示了一种半导体装置。在一个态样中，揭示了至少一个主动深沟槽电容器。至少一个主动深沟槽电容器后面会介绍。
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金融界2024年1月18日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“授权公告号CN220358069U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，揭示了一种半导体装置。在一个态样中，揭示了至少一个主动深沟槽电容器。至少一个主动深沟槽电容器后面会介绍。
填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二说完了。
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tian chong di yi you yuan tu an zhong de xiang lin di yi you yuan tu an zhi jian de di yi gou cao yi ji di er you yuan tu an zhong de xiang lin di er you yuan tu an zhi jian de di er gou cao 。 nei chen ceng she zhi zai di er you yuan tu an zhong de xiang lin di er you yuan tu an zhi jian de zhuang zhi ge li ceng shang 。 di yi you yuan tu an zhong de xiang lin di yi you yuan tu an zhi jian de zhuang zhi ge li ceng zai di yi yuan ji / lou ji qu xia fang ju you ao cao ， qie di er shuo wan le 。
金融界2024年1月8日消息，据国家知识产权局公告，江苏凯达重工股份有限公司取得一项名为“一种轧辊外圆沟槽加工装置“授权公告号CN117066600B,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种轧辊外圆沟槽加工装置，涉及轧辊加工技术领域，包括基座，所述基座的顶部设还有呢？
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金融界2024年1月6日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“沟槽的制备方法“公开号CN117352383A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻还有呢？
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所述中心花纹块和肩部花纹块之间交错形成有沟槽，所述沟槽包括若干周向沟槽和若干横向沟槽，所述周向沟槽沿轮胎周向方向形成，所述横向沟槽沿轮胎宽度方向形成；所述沟槽的底部设置有楔形条，所述楔形条由纤维增强复合材料制成。楔形条的设计可以有效地防止颗粒物附着在轮胎胎等会说。
衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽，绝缘材料层填充各第一沟槽；对基底进行蚀刻，以形成多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽，第二方向与第一方向相交；去除位于第二沟槽下方的衬底的部分材料，以在第二沟槽的下方形成第三沟槽，第三沟槽贯通各第二沟槽；在第三沟槽内填充导还有呢？
金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET“公开号CN117316980A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅MOSFET的元等会说。
ゃōゃ
金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法“公开号CN117316990A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明提供一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法，沟槽MOS晶体管器件等我继续说。
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金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316984A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技等我继续说。
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金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器及其制备方法“公开号CN117316919A,申请日期为2023年3月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种沟槽电容器，包括：衬底，所述衬底具有沟槽；电容结构，包括设置在所述沟槽内壁的是什么。
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